MOSFET功率場效應管的主要性能參數

現在的MOSFET具有雪崩擊穿耐量，也就是說，現在的MOSFET在一定條件下可以工作在雪崩擊穿狀態，只要雪崩擊穿能量不超過其雪崩擊穿耐量即可。這個特點是其他半導體器件（除穩壓二極管外）所不具備的。

2.額定電流：指在殼溫爲25℃、柵一源極電壓爲10V時MOSFET可以承受的持續的電流值。需要注意的是，隨著殼溫的升，額定電流下降，到100aC殼溫時MOSFET的額定電流將下降到25℃時額定電流的約60%。當殼溫達到150℃時，MOSFET的額定電流下降到零。具體的電流降額需要查具體型號的數據。

3.導通電阻：是指在結溫爲室溫和柵一源極電壓爲10V的條件下，MOSFET的漏一源極之間的導通電阻。需要注意的是，導通電阻隨結溫而上升，當結溫達到150qC時，導通電阻將達到室溫時的2.5~2.8倍。即使結溫在100℃時，其導通電阻也會爲室溫條件下的2倍。

4.柵一源極導通阈值電壓：指MOSFET導通的臨界柵一源極電壓。

5.額定耗散功率：指在殼溫爲25℃條件下，MOSFET可以耗散的功率。需要注意的是，隨著殼溫的上升，MOSFET的耗散功率下降。