BG大游(中国)唯一官方网站講解三極管的主要參數有哪些？
BG大游(中国)唯一官方网站电子科技详细阐述三极管的主要参数有哪些，需了解更多，请直接访问BG大游(中国)唯一官方网站官方网站，下面来讲解三极管的主要参数。
1、直流參數
�。�1）
集電極一基极反向饱和电流Icbo，发射极开路（Ie=0)时，基极和集電極之间加上反向电压Vcb时的集電極反向电流，它只与温度有关，在一定温度下是个常数，所以称为集電極一基极的反向饱和电流。
�。�2）集電極一发射极反向电流Iceo(穿透电流）基极开路（Ib=0）时，集電極和发射极之间加上规定反向电压Vce时的集電極电流。即Iceo=(1+β)Icbo，Iceo值越�。阅茉轿榷ǎ」β收喙艿腎ceo比硅管大。
�。�3）发射极---基极反向电流Iebo 集電極开路时，在发射极与基极之间加上规定的反向电压时发射极的电流，它实际上是发射结的反向饱和电流。
�。�4）直流电流放大系数β1这是指共发射接法，没有交流信号输入时，集電極输出的直流电流与基极输入的直流电流的比值，即：β1=Ic/Ib
2、交流參數
（1）交流电流放大系数β（或hfe） 这是指共发射极接法，集電極输出电流的变化量即：β= △Ic/△Ib
（2）共基极交流放大系数α（或hfb） 这是指共基接法时，集電極输出电流的变化即：α=△Ic/△Ie
因爲△Ic＜△Ie，故α＜1。
α與β之間的關系：
α= β/（1+β）
β= α/（1-α）≈1/（1-α）
�。�3）截止频率fβ、fα 当β下降到低频时0.707倍的频率，就是共发射极的截止频率fβ；它们之间的关系为：fβ≈（1-α）fα
�。�4）特征頻率fT因爲頻率f上升時，β就下降，當β下降到1時，對應的fT是全面地反映晶體管的高頻放大性能的重要參數。
3、極限參數
（1）集電極最大允许电流ICM 当集電極电流Ic增加到某一数值，引起β值下降到额定值的2/3或1/2，这时的Ic值称为ICM。
�。�2）集電極----基极击穿电压BVCBO 当发射极开路时，集电结的反向击穿电压称为BVEBO。
�。�3）发射极-----基极反向击穿电压BVEBO 当集電極开路时，发射结的反向击穿电压称为BVEBO。
�。�4）集電極-----发射极击穿电压BVCEO 当基极开路时，加在集電極和发射极之间的最大允许电压，使用时如果Vce＞BVceo，管子就会被击穿。
�。�5）集電極最大允许耗散功率PCM 集电流过Ic，温度要升高，管子因受热而引起参数的变化不超过允许值时的最大集電極耗散功率称为PCM。管子实际的耗散功率即Pc=Uce
