1、輸入特性
　三極管的輸入特性曲線，它表示Ib隨Ube的變化關系，其特點是：
      1）当Uce在0-2伏范围内，曲线位置和形状与Uce 有关，但当Uce高于2伏后，曲线Uce基本无关通常输入特性由两条曲线表示即可。
　　2）當Ube＜UbeR時，Ib≈O稱（0～UbeR)的區段爲“死區”當Ube＞UbeR時，Ib隨Ube增加而增加，放大時，三極管工作在較直線的區段。
　　3）三極管輸入電阻，定義爲:
　　rbe=(△Ube/△Ib)Q點，其估算公式爲：
　　rbe=rb+(β+1)(26毫伏/Ie毫伏）
　　rb爲三極管的基區電阻，對低頻小功率管，rb約爲300歐。
　　2、輸出特性
　　輸出特性表示Ic隨Uce的變化關系，它分爲三個區域：截止區、放大區和飽和區。
　　截止区 当Ube＜0时，则Ib≈0，即Ic=Iceo，称为穿透电流，常温时Iceo约为几微安，锗管约为几十微安至几百微安，它与集电极反向电流Icbo的关系是：
　　Icbo=(1+β)Icbo
　　常溫時矽管的Icbo小于1微安，鍺管的Icbo約爲10微安，對于鍺管，溫度每升高12℃，Icbo數值增加一倍，而矽管溫度每升高8℃，Icbo數值增大一倍。
      放大区 当晶體三極管發射結處于正偏而集電結于反偏工作時，Ic隨Ib近似作線性變化，放大區是三極管工作在放大狀態的區域。
　　饱和区 当发射结和集电结均处于正偏状态时，Ic基本上不随Ib而变化，失去了放大功能。
　　三極管的輸入特性與輸出特性
　　截止區和飽和區是三極管工作在開關狀態的區域，三極管和導通時，工作點落在飽和區，三極管截止時，工作點落在截止區。
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