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肖特基二極管特點
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發表時間:2022-02-14
?肖特基二極管是低功耗、大電流、超高速半導體器件,它的反向恢複時間可小到幾個納秒,正向導通壓降僅0.4v左右,而整流電流卻可以達到幾千安。肖特基二極管A爲正極,以N型半導體B爲負極,利用二者接觸面上形成的勢壘具有整流特性而制成的金屬-半導體器件。因爲N型半導體中存在著大量的電子,貴金屬中僅有極少量的自由電子,所以電子便從濃度高的B中向濃度低的A中擴散。顯然,金屬A中沒有空穴,也就不存在空穴自A向B的擴散運動。隨著電子不斷從B擴散到A,B表面電子濃度逐漸降低,表面電中性被破壞,于是就形成勢壘,其電場方向爲B→A。但在該電場作用之下,A中的電子也會産生從A→B的漂移運動,從而消弱了由于擴散運動而形成的電場。當建立起一定寬度的空間電荷區後,電場引起的電子漂移運動和濃度不同引起的電子擴散運動達到相對的平衡,便形成了肖特基勢壘。肖特基勢壘二極管具有開關頻率高和正向壓降低等優點,但其反向擊穿電壓比較低,大多不高于60V,最高僅約100V,以致于限制了其應用範圍。像在開關電源(SMPS)和功率因數校正(PFC)電路中功率開關器件的續流二極管、變壓器次級用100V以上的高頻整流二極管、RCD緩沖器電路中用600V~1.2kV的高速二極管以及PFC升壓用600V二極管等,只有使用快速恢複外延二極管(FRED)和超快速恢複二極管(UFRD)。目前UFRD的反向恢复时间Trr也在20ns以上,根本不能满足像空间站等领域用1MHz~3MHz的SMPS需要。即使是硬开关为100kHz的SMPS,由于UFRD的导通损耗和开关损耗均较大,壳温很高,需用较大的散热器,从而使SMPS体积和重量增加,不符合小型化和轻薄化的发展趋势。因此,发展100V以上的高压SBD,一直是人们研究的课题和关注的热点。近几年,SBD已取得了突破性的进展,150V和 200V的高压SBD已经上市,使用新型材料制作的超过1kV的SBD也研制成功,从而为其应用注入了新的生机与活力。肖特基二極管的主要特點:正向壓降低、反向恢複時間快、工作頻率高、反向耐壓低。BG大游(中国)唯一官方网站科技爲客戶提供高品質産品,封裝規格齊全,品質可靠,全面的方案與周到及時的服務,歡迎前來咨詢了解:13622673179