?MOSFET/IGBT的开关损耗测试是电源调试中非常关键的环节，但很多工程师对开关损耗的测量还停留在人工计算的感性认知上，PFC MOSFET的开关损耗更是只能依据口口相传的经验反复摸索，那么该如何量化评估呢?
一般來說，開關管工作的功率損耗原理圖下圖所示，主要的能量損耗體現在“導通過程”和“關閉過程”，小部分能量體現在“導通狀態”，而關閉狀態的損耗很小幾乎爲0，可以忽略不計。
對于普通MOS管来说，不同周期的电压和电流波形几乎完全相同，因此整体功率损耗只需要任意测量一个周期即可。但對于PFC MOS管来说，不同周期的电压和电流波形都不相同，因此功率损耗的准确评估依赖较长时间（一般大于10ms），较高采样率（推荐1G采样率）的波形捕获，此时需要的存储深度推荐在10M以上，并且要求所有原始数据（不能抽样）都要参与功率损耗计算，实测截图下图所示。
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