?近幾年新能源汽車、5G基站和變頻家電強勢發展，給功率器件帶來了新的增長機會，另外快充，特高壓、城際高鐵交通等對功率器件的需求也在快速增长，据Yole 预测，到2025年全球功率器件市场或达225亿美元，2019到2025 年复合增长率4.28%。
在新興應用需求及政策的支持推動下，國內功率器件近年來發展也是相當迅速，據芯謀研究統計，中國企業有5價進入全球前20名，其中安世半導體更是進入前十，位居第九。
雖然現在全球90%以上的芯片和器件是基于矽材料生産，但是隨著5G、新能源汽車等新興應用的出現，氮化镓（GaN）、碳化矽（SiC）等第三代半導體材料興起，並被寫入“十四五”規劃，第三代半導體功率器件也憑借獨特優勢逐漸獲得市場青睐。
碳化硅（SiC）功率器件有SiC二极管、SiC MOSFET，SiC二极管通常是SiC肖特基二極管，主要用于在 600V以上领域替代传统的快恢复二极管。SiC MOSFET可部分取代硅基IGBT，SiC MOSFET具有较高的击穿电场强度，比传统Si MOSFET更耐高压，同时拥有更高的开关频率和下降的通态电阻，开关速度比Si IGBT快，损耗比Si IGBT�。诟咂�、高电压领域将取代 Si IGBT 和 Si MOSFET。
國家的大力扶持，相信功率器件市場未來有不錯的增長空間，當前英飛淩、安森美、意法半導體等國際大廠占據較大市場，國內廠商在二極管、晶閘管及部分MOSFET上占據不錯市場，在某些中高端産品方面還有很大的提升空間，不過很明顯，包括新潔能、比亞迪、斯達半導、捷捷微電等在內非常多優秀的企業正在日漸成長，未來值得期待。
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