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    三極管基礎知識及檢測方法

    文章出处:新聞中心 責任編輯:東莞市BG大游(中国)唯一官方网站電子科技有限公司 發表時間:2016-06-22
      

     

    一、晶體管基礎

       雙極結型三極管相當于兩個背靠背的二極管 PN 結。正向偏置的 EB 結有空穴從發射極注入基區,其中大部分空穴能夠到達集電結的邊界,並在反向偏置的 CB 結勢壘電場的作用下到達集電區,形成集電極電流 IC 。在共發射極晶體管電路中 , 發射結在基極電路中正向偏置 , 其電壓降很小。大部分 的集電極和發射極之間的外加偏壓都加在反向偏置的集電結上。由于 VBE 很。曰鶚O電流約爲 IB= 5V/50 k Ω = 0.1mA

      如果晶體管的共發射極電流放大系數β = IC / IB =100, 集電極電流 IC= β*IB=10mA。在500Ω的集電極負載電阻上有電壓降VRC=10mA*500Ω=5V,而晶體管集電極和發射極之間的壓降爲VCE=5V,如果在基極偏置電路中疊加一個交變的小電流ib,在集電極電路中將出現一個相應的交變電流ic,有c/ib=β,實現了雙極晶體管的電流放大作用。

     

      金屬氧化物半導體場效應三極管的基本工作原理是靠半導體表面的電場效應,在半導體中感生出導電溝道來進行工作的。當柵 G 電壓 VG 增大時, p 型半導體表面的多數載流子棗空穴逐漸減少、耗盡,而電子逐漸積累到反型。當表面達到反型時,電子積累層將在 n+ 源區 S n+ 漏區 D 之間形成導電溝道。當 VDS 0 時,源漏電極之間有較大的電流 IDS 流过。使半导体表面达到强反型时所需加的栅源電壓称爲阈值電壓 VT 。當 VGS>VT 並取不同數值時,反型層的導電能力將改變,在相同的 VDS 下也將産生不同的 IDS , 实现栅源電壓 VGS 對源漏電流 IDS 的控制。

    二、晶體管的命名方法

    晶體管:常用的有三極管和二極管兩種。三極管以符號BG(舊)或(T)表示,二極管以D表示。按制作材料分,晶體管可分爲鍺管和矽管兩種。

    按極性分,三極管有PNPNPN兩種,而二極管有P型和N型之分。多數國産管用xxx表示,其中每位都有特定含義:如 3 A X 31,一位3代表三極管,2代表二極管。二位代表材料和極性。A代表PNP型鍺材料;B代表NPN型鍺材料;CPNP型矽材料;DNPN型矽材料。第三位表示用途,其中X代表低頻小功率管;D代表低頻大功率管;G代表高頻小功率管;A代表高頻大功率管。後面的數字是産品的序號,序號不同,各種指標略有差異。注意,二極管同三極管二位意義基本相同,而第三位則含義不同。對于二極管來說,第三位的P代表檢波管;W代表穩壓管;Z代表整流管。上面舉的例子,具體來說就是PNP型鍺材料低頻小功率管。對于的三極管來說,就各有不同,要在實際使用過程中注意積累資料。

    常用的管有韓國的90xx、80xx系列,歐洲的2Sx系列,在該系列中,第三位含義同國産管的第三位基本相同。

    三、 常用中小功率三極管參數表

    型號

    材料與極性

    Pcm(W)

    Icm(mA)

    BVcbo(V)

    ft(MHz)

    3DG6C

    SI-NPN

    0.1

    20

    45

    >100

    3DG7C

    SI-NPN

    0.5

    100

    >60

    >100

    3DG12C

    SI-NPN

    0.7

    300

    40

    >300

    3DG111

    SI-NPN

    0.4

    100

    >20

    >100

    3DG112

    SI-NPN

    0.4

    100

    60

    >100

    3DG130C

    SI-NPN

    0.8

    300

    60

    150

    3DG201C

    SI-NPN

    0.15

    25

    45

    150

    C9011

    SI-NPN

    0.4

    30

    50

    150

    C9012

    SI-PNP

    0.625

    -500

    -40

     

    C9013

    SI-NPN

    0.625

    500

    40

     

    C9014

    SI-NPN

    0.45

    100

    50

    150

    C9015

    SI-PNP

    0.45

    -100

    -50

    100

    C9016

    SI-NPN

    0.4

    25

    30

    620

    C9018

    SI-NPN

    0.4

    50

    30

    1.1G

    C8050

    SI-NPN

    1

    1.5A

    40

    190

    C8580

    SI-PNP

    1

    -1.5A

    -40

    200

    2N5551

    SI-NPN

    0.625

    600

    180

     

    2N5401

    SI-PNP

    0.625

    -600

    160

    100

    2N4124

    SI-NPN

    0.625

    200

    30

    300

    四、用萬用表測試三極管
    1) 判别基极和管子的类型
       选用欧姆档的R*100(或R*1K)檔,先用紅表筆接一個管腳,黑表筆接另一個管腳,可測出兩個電阻值,然後再用紅表筆接另一個管腳,重複上述步驟,又測得一組電阻值,這樣測3次,其中有一组两个阻值都很小的,对应测得这组值的红表笔接的爲基极,且管子是PNP型的;反之,若用黑表笔接一个管脚,重复上述做法,若测得两个阻值都。杂诒肀薁懟夜茏邮NPN型的。
    2)判別集電極
       因爲三极管发射极和集电极正确连接时β大(表針擺動幅度大),反接時β就小得多。因此,先假設一個集電極,用歐姆檔連接,(對NPN型管,發射極接黑表筆,集電極接紅表筆)。測量時,用手捏住基極和假設的集電極,兩極不能接觸,若指針擺動幅度大,而把兩極對調後指針擺動。瑒t說明假設是正確的,從而確定集電極和發射極。
    2) 电流放大系数β的估算
       选用欧姆档的R*100(或R*1K)檔,對NPN型管,紅表筆接發射極,黑表筆接集電極,測量時,只要比較用手捏住基極和集電極(兩極不能接觸),和把手放開兩種情況小指針擺動的大。瑪[動越大,β值越高。

     

     

    ,mso-font-kerning: 0pt" lang=EN-US>100


    >20

    >100

    3DG112

    SI-NPN

    0.4

    100

    60

    >100

    3DG130C

    SI-NPN

    0.8

    300

    60

    150

    3DG201C

    SI-NPN

    0.15

    25

    45

    150

    C9011

    SI-NPN

    0.4

    30

    50

    150

    C9012

    SI-PNP

    0.625

    -500

    -40

     

    C9013

    SI-NPN

    0.625

    500

    40

     

    C9014 ,,

    SI-NPN

    0.45

    100

    50

    150

    C9015

    SI-PNP

    0.45

    -100

    -50

    100

    C9016

    SI-NPN

    0.4

    25

    30

    620

    C9018

    SI-NPN

    0.4

    50

    30

    1.1G

    C8050

    SI-NPN

    1

    1.5A

    40

    190

    C8580

    SI-PNP

    1

    -1.5A

    -40

    200

    2N5551

    SI-NPN

    0.625

    600

    180

     

    2N5401

    SI-PNP

    0.625

    -600

    160

    100

    2N4124

    SI-NPN

    0.625

    200

    30

    300


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