所謂場效應晶體管(FET)簡稱場效應管，它屬于電壓控制型半導體器件，具有輸入電阻高（108～109Ω）、噪聲小、功耗低、沒有二次擊穿現象、工作區域寬等優點，現已成爲雙極型晶體管和功率晶體管的競爭者。

場效應管有兩大分類，一種是結型場效應管（JFET）因有兩個PN結而得名，另一種是絕緣柵型場效應管（JGFET）則因柵極與其它電緣而得名。目前在絕緣柵型場效應管中，應用廣的是MOS場效應管，簡稱MOS管（即金屬-氧化物-半導體場效應管MOSFET）；此外還有PMOS、NMOS和VMOS功率場效應管，以及剛問世的πMOS場效應管、VMOS功率模塊等。

按溝道半導體材料的不同，結型和絕緣柵型各分溝道和P溝道兩種。若按導電方式來劃分，場效應管又可分成耗盡型與增強型。結型場效應管均爲耗盡型，絕緣柵型場效應管既有耗盡型的，也有增強型的。

場效應晶體管可分爲結場效應晶體管和MOS場效應晶體管。而MOS場效應晶體管又分爲N溝耗盡型和增強型；P溝耗盡型和增強型四大類。