对于单一阳极技术成为标准通用型选择是由于其出色的性价比。多阳极设计可提供低的ESR值，但其缺点是生产成本要高于单阳极解決方案。标准的芯片集成工艺的槽式阳极设计是低ESR与低成本折中的一种结果。因此，槽式设计通常用于价格同时要求低ESR的设计，而多阳极技术适合用于既要求低ESR更要求高可靠性的应用中，如电信基础设施、网络、服务器和军事/航空航天等应用。

除了上述差異，多陽極的概念有另兩處。

(1)多陽極設計具有好的散熱性能，這意味著多陽極電容可以承載高的持續電流；同理，多陽極電容對抗電流浪湧�：Φ哪芰σ矎�。

(2)相多陽極電容的單位容積效率較低，這導致了一種假設，認爲多陽極不能達到與單一陽極一樣的CV（定電壓因素）。薄的陽極實現起來容易，並且易被二個二氧化錳電極系統穿透，使高的CV得以利用，因此，多陽極電容器能達到同樣甚至高的CV水平。