2013年采用SiC功率元件和GaN功率元件的事例逐漸增加，同時各企業也圍繞這些元件展開了烈的開發競爭。
　　SiC功率半导体方面，在栅极设有沟道的沟道型MOSFET的开发在2013年大幅加速。以前推出的SiC MOSFET只有平面型，尚未推出沟道型。沟道型MOSFET的导通电阻只有平面型的几分之一，因此可以进一步降低损耗。
　　GaN功率元件方面，日本各大企業相繼發布了新産品，還有不少企業宣涉足功率元件業務。其中，變化較大的是耐壓600V的GaN功率晶體管。耐壓600V的功率晶體管能夠應用于空調、電磁爐等白色家電，混合動力汽車和純電動汽車的逆變器，光伏逆變器及工業設備等輸出功率在數百～數萬W的功率轉換器。
　　GaN功率半導體的生産能夠沿用過去生産邏輯IC等産品使用的支持6～8英寸Si基板的生産設備以及面向LED引進的GaN類半導體外延設備等，這將推動亞洲企業湧進該市場。
　　GaN功率半導體領域，在SiC功率半導體領域，日本以外的亞洲企業的實力也在逐漸強。