SiC基片的厚度以350μm爲主流，薄産品也要達到230μm左右。爲了進一步減薄厚度，許多大型SiC功率元件廠商都在致力于相關研發。比如，羅姆通過研磨等工序將SiC基片減薄至50μm，並用其試制出了耐壓700V的SiC肖特基勢壘二極管。在SiC相關學會“ICSCRM2013”上，該公司比較了該試制SBD與原來利用230μm厚的基片制造的相同耐壓的SBD的導通電阻值。50μm産品的導通電阻爲0.22mΩcm2，減小到了230μm産品的0.48mΩcm2的一半以下。
　　三菱電機也利用90μm厚的SiC基片試制了耐壓1.2kV的SiCSBD。該公司在ICSCRM2013發表了相關成果，雖未公布具體的導通電阻值，但與使用約300μm厚的基片制造的相同耐壓的SBD相比，導通電阻減小了0.4mΩcm2。另外，英飛淩也在致力于利用薄型SiC基片的SiC二極管的研發。該公司在2013年5月舉行的功率半導體學會“ISPSD2013”(日本電氣學會主辦)上發表了將基片減薄至110μm的耐壓650V的SiC二極管。