中国半導體器件型号命名方法半導體器件型号由五部分（场效应器件、半导体特殊器件、复合管、PIN型管、激光器件的型号命名只有第三、四、五部分）组成。
       五个部分意义如下：
 第一部分：用數字表示半導體器件有效電極數目。2-二極管、3-三極管
 第二部分：用汉语拼音字母表示半導體器件的材料和极性。表示二极管时：A-N型锗材料、B-P型锗材料、C-N型硅材料、D-P型硅材料。表示三极管时：A-PNP型锗材料、B-NPN型锗材料、C-PNP型硅材料、D-NPN型硅材料；
 第三部分：用汉语拼音字母表示半導體器件的内型。P-普通管、V-微波管、W-稳压管、C-参量管、Z-整流管、L-整流堆、S-隧道管、N-阻尼管、U-光电器件、K-开关管、X-低频小功率管(F3MHz,Pc1W)、G-高频小功率管（f3MHz,Pc1W）、D-低频大功率管（f3MHz,Pc1W）、A-高频大功率管（f3MHz,Pc1W）、T-半导体晶闸管（可控整流器）、Y-體效應器件、B-雪崩管、J-階躍恢複管、CS-場效應管、BT-半導體特殊器件、FH-複合管、PIN-PIN型管、JG-激光器件；
 第四部分：用數字表示序號；
 第五部分：用漢語拼音字母表示規格號例如：3DG18表示NPN型矽材料高頻三極管.
 更多閱讀資料：www.pad-china.cn