1、輸出特征
　　三极管的输出特征曲线，它示意Ib随Ube的变革干系，其特性是：1）当Uce在0-2伏范畴内，曲线和外形与Uce 有关，但当Uce高于2伏后，曲线Uce根本有关平日输出特征由两条曲线（Ⅰ和Ⅱ）示意。
　　2）當Ube＜UbeR時，Ib≈O稱（0～UbeR)的區段爲“死區”當Ube＞UbeR時，Ib隨Ube增長而增長，縮小時，三極管事情在較直線的區段。
　　3）三極管輸出電阻，界說爲:
　　rbe=(△Ube/△Ib)Q點，其預算公式爲：
　　rbe=rb+(β+1)(26毫伏/Ie毫伏）
　　rb爲三極管的基區電阻，對低頻小功率管，rb約爲300歐。
　　2、輸入特征
　　輸入特征示意Ic隨Uce的變革幹系（以Ib爲參數）特征可見，它分爲三個地區：停止區、縮小區和飽和區。
　　停止区 当Ube＜0时，则Ib≈0，发射区没有电子注入基区，但因为分子的热活动，集电集仍有小量电流畅过，即Ic=Iceo称为穿透电流，常温时Iceo约为几微安，锗管约为几十微安至几百微安，它与集电极反向电流Icbo的干系是：
　　Icbo=(1+β)Icbo
　　常溫時矽管的Icbo小于1微安，鍺管的Icbo約爲10微安，關于鍺管，溫度每降低12℃，Icbo數值增長一倍，而關于矽管溫度每降低8℃，Icbo數值增大一倍，固然矽管的Icbo隨溫度變革猛烈，但因爲鍺管的Icbo值自身比矽管大，以是鍺管依然受溫度影響較緊張的管，縮小區，當晶體三極管發射結處于正偏而集電結于反偏事情時，Ic隨Ib類似作線性變革，縮小區是三極管事情在縮小形態的地區。
　　饱和区 当发射结和集电结均处于正偏形态时，Ic根本上不随Ib而变革，得到了缩小功用。依据三极管发射结和集电结偏置状况，大概鉴别其事情形态。
　　三極管的輸出特征與輸入特征
　　停止區和飽和區是三極管事情在開關形態的地區，三極管和導通時，事情點落在飽和區，三極管停止時，事情點落在停止區。