一、   中国半导体器件型号命名方法
半導體器件型號由五部分（場效應器件、半導體器件、複合管、PIN型管、激光器件的型號命名只有第三、四、五部分）組成。五個部分意義如下：
一部分：用數字表示半導體器件有效電極數目。2-二極管、3-三極管
二部分：用漢語拼音字母表示半導體器件的材料和極性。表示二極管時：A-N型鍺材料、B-P型鍺材料、C-N型矽材料、D-P型矽材料。表示三極管時：A-PNP型鍺材料、B-NPN型鍺材料、C-PNP型矽材料、D-NPN型矽材料。
第三部分：用漢語拼音字母表示半導體器件的內型。P-普通管、V-微波管、W-穩壓管、C-參量管、Z-整流管、L-整流堆、S-隧道管、N-阻尼管、U-光電器件、K-開關管、X-低頻小功率管(F<3MHz,Pc<1W)、G-高頻小功率管（f>3MHz,Pc<1W）、D-低頻大功率管（f<3MHz,Pc>1W）、A-高頻大功率管（f>3MHz,Pc>1W）、T-半導體晶閘管（可控整流器）、Y-體效應器件、B-雪崩管、J-階躍恢複管、CS-場效應管、BT-半導體器件、FH-複合管、PIN-PIN型管、JG-激光器件。
第四部分：用數字表示序號
第五部分：用漢語拼音字母表示規格號
例如：3DG18表示NPN型矽材料高頻三極管
日本半導體分立器件型號命名方法
二、日本生産的半導體分立器件，由五至七部分組成。通常只用到前五個部分，其各部分的符號意義如下：
一部分：用數字表示器件有效電極數目或類型。0-光電（即光敏）二極管三極管及上述器件的組合管、1-二極管、2三極或具有兩個pn結的其他器件、3-具有四個有效電極或具有三個pn結的其他器件、┄┄依此類推。
二部分：日本電子工業協會JEIA注冊標志。S-表示已在日本電子工業協會JEIA注冊登記的半導體分立器件。
第三部分：用字母表示器件使用材料极性和类型。A-PNP型高频管、B-PNP型低频管、C-NPN型高频管、D-NPN型低频管、F-P控制极可控硅、G-N控制极可控硅、H-N基极单结晶体管、J-P沟道场效应管、K-N 沟道场效应管、M-双向可控硅。
第四部分：用數字表示在日本電子工業協會JEIA登記的順序號。兩位以上的整數-從“11”開始，表示在日本電子工業協會JEIA登記的順序號；不同公司的性能相同的器件可以使用同一順序號；數字越大，越是近期産品。
第五部分： 用字母表示同一型号的改进型産品标志。A、B、C、D、E、F表示这一器件是原型号産品的改进産品。