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由雙極型晶體管或場效應晶體管等三端器件組成的光電器件。光在這類器件的有源區內被吸�。�孕育發生光生載流子，經過外部電縮小機構，孕育發生光電流增益。光晶體三極管三端事情，故輕易完成電控或電同步。光晶體三極管可分爲兩類：雙極型光晶體管、場效應光晶體管及其相幹器件。 
　　双极型光晶体管 　双极型光晶体管从构造上分为同质型和异质型两种。图为异质结光晶体管能带图。光在基区-搜集区吸�。�孕育发生的空穴（多子）在基区积聚,使发射结注入多电子以坚持电中性而孕育发生增益。与同质结型比拟有以下好处：①应用宽带发射区作为光学窗口大大进步量子服从。②应用宽带发射区进步注入服从，大大增长缩小倍数β。关于短波长（短于0.9微米），常用GaAs-GaAlAs体系，关于长波长（善于1.1微米），则应用 InP-InGaAsP体系。关于后者，也可应用反面光照。这些体系基区均应用间接能隙半导体,光吸取率很高,故可做得较�。�大大收缩了基区渡越工夫。 

　　雙極型光晶體管平日增益很高，但速率不太快，關于GaAs-GaAlAs，β可大于1000，相應工夫大于納秒（視增益巨細紛歧）。其增益帶寬積GB在小電流弱光照時受發射極和搜集極充電工夫常數限定；而在大電流或強光照時則根本上由基區渡越工夫和搜集極渡越工夫決議。普通，fT爲晶體管停止頻率。當應用基區引線孕育發生恰當偏流時，低落發射極充電工夫常數，並爲基區積聚的光生載流子供應通路，減小基區等效壽命而收縮相應工夫。GaAs-GaAlAs光晶體管相應工夫爲250皮秒或短。 
　　異質結光晶體管噪聲決議于事情電流，小電流時噪聲較低。但小電流事情時發射極工夫常數增大，且空間電荷區複合流占主導身分，也形成增益低落（β反比于，I1-1/ne,n≈2）。爲減小空間電荷區複合流,可用分子束內涵發展法在靠發射結一端發展約300埃的寬帶基區,並組成基區空間電荷區一局部，這便是“雙基區”構造。 
　　異質結光晶體管用于光探測器,其功能不劣于PIN光電二極管和場效應複合體系，別的也可用于光縮小。 
　　光场效应晶体管及其相干光电器件 GaAs MESFET可用作高速光探测器(GaAs op FET),其相应工夫为50皮秒或短，增益可大于10（与事情前提有关）。它的缺陷是光敏面积小。GaAs op FET及其相干的N沟光电器件的光增益机构有：①光异体机构，增益即是电子速率与空穴速率之比；②转移电子效应机构，其增益来自光生载流子在负迁徙率区的空间电荷缩小感化。与此相干另有很多其他立体型光电器件，其特性是速率快（相应工夫几十皮秒）、适于集成。这类器件可望在光电集成中失掉使用。

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