CT---勢壘電容
Cj---结（极间）电容， 表示在二极管两端加规定偏压下，锗检波二极管的总电容
Cjv---偏壓結電容
Co---零偏壓電容
Cjo---零偏壓結電容
Cjo/Cjn---結電容變化
Cs---管殼電容或封裝電容
Ct---總電容
CTV---電壓溫度系數。在測試電流下，穩定電壓的相對變化與環境溫度的變化之比
CTC---電容溫度系數
Cvn---標稱電容
IF---正向直流電流（正向測試電流）。鍺檢波二極管在規定的正向電壓VF下，通過極間的電流；矽整流管、矽堆在規定的使用條件下，在正弦半波中允許連續通過的工作電流（平均值），矽開關二極管在額定功率下允許通過的正向直流電流；測穩壓二極管正向電參數時給定的電流
IF（AV）---正向平均電流
IFM（IM）---正向峰值電流（正向電流）。在額定功率下，允許通過二極管的正向脈沖電流。發光二極管電流。
IH---恒定電流、維持電流。
Ii--- 发光二极管起辉电流
IFRM---正向重複峰值電流
IFSM---正向不重複峰值電流（浪湧電流）
Io---整流電流。在特定線路中規定頻率和規定電壓條件下所通過的工作電流
IF(ov)---正向過載電流
IL---光電流或穩流二極管電流
ID---暗電流
IB2---單結晶體管中的基極調制電流
IEM---發射極峰值電流
IEB10---雙基極單結晶體管中發射極與一基極間反向電流
IEB20---雙基極單結晶體管中發射極向電流
ICM---輸出平均電流
IFMP---正向脈沖電流
IP---峰點電流
IV---谷點電流
IGT---晶閘管控制極觸發電流
IGD---晶閘管控制極不觸發電流
IGFM---控制極正向峰值電流
IR（AV）---反向平均電流
IR（In）---反向直流電流（反向漏電流）。在測反向特性時，給定的反向電流；矽堆在正弦半波電阻性負載電路中，加反向電壓規定值時，所通過的電流；矽開關二極管兩端加反向工作電壓VR時所通過的電流；穩壓二極管在反向電壓下，産生的漏電流；整流管在正弦半波反向工作電壓下的漏電流。
IRM---反向峰值電流
IRR---晶閘管反向重複平均電流
IDR---晶閘管斷態平均重複電流
IRRM---反向重複峰值電流
IRSM---反向不重複峰值電流（反向浪湧電流）
Irp---反向恢複電流
Iz---穩定電壓電流（反向測試電流）。測試反向電參數時，給定的反向電流
Izk---穩壓管膝點電流
IOM---正向（整流）電流。在規定條件下，能承受的正向瞬時電流；在電阻性負荷的正弦半波整流電路中允許連續通過鍺檢波二極管的工作電流
IZSM---穩壓二極管浪湧電流
IZM---穩壓電流。在耗散功率下穩壓二極管允許通過的電流
iF---正向總瞬時電流
iR---反向總瞬時電流
ir---反向恢複電流
Iop---工作電流
Is---穩流二極管穩定電流
f---頻率
n---電容變化指數；電容比
Q---優值（品質因素）
δvz---穩壓管電壓漂移
di/dt---通態電流臨界上升率
dv/dt---通態電壓臨界上升率
PB---承受脈沖燒毀功率
PFT（AV）---正向導通平均耗散功率
PFTM---正向峰值耗散功率
PFT---正向導通總瞬時耗散功率
Pd---耗散功率
PG---門極平均功率
PGM---門極峰值功率
PC---控制極平均功率或集電極耗散功率
Pi---輸入功率
PK---開關功率
PM---額定功率。矽二極管結溫不高于150度所能承受的功率
PMP---漏過脈沖功率
PMS---承受脈沖功率
Po---輸出功率
PR---反向浪湧功率
Ptot---總耗散功率
Pomax---輸出功率
Psc---連續輸出功率
PSM---不重複浪湧功率
PZM---耗散功率。在給定使用條件下，穩壓二極管允許承受的功率
RF（r）---正向微分電阻。在正向導通時，電流隨電壓指數的增加，呈現非線性特性。在某一正向電壓下，電壓增加微小量△V，正向電流相應增加△I，則△V/△I稱微分電阻
RBB---雙基極晶體管的基極間電阻
RE---射頻電阻
RL---負載電阻
Rs(rs)----串聯電阻
Rth----熱阻
R(th)ja----結到環境的熱阻
Rz(ru)---動態電阻
R(th)jc---結到殼的熱阻
r δ---衰减电阻
r(th)---瞬態電阻
Ta---環境溫度
Tc---殼溫
td---時間
tf---下降時間
tfr---正向恢複時間
tg---電路換向關斷時間
tgt---門極控制極開通時間
Tj---結溫
Tjm---結溫
ton---開通時間
toff---關斷時間
tr---上升時間
trr---反向恢複時間
ts---存儲時間
tstg---溫度補償二極管的貯成溫度
a---溫度系數
λp---發光峰值波長
△ λ---光谱半宽度
η---單結晶體管分壓比或效率
VB---反向峰值擊穿電壓
Vc---整流輸入電壓
VB2B1---基極間電壓
VBE10---發射極與一基極反向電壓
VEB---飽和壓降
VFM---正向壓降（正向峰值電壓）
VF---正向壓降（正向直流電壓）
△VF---正向壓降差
VDRM---斷態重複峰值電壓
VGT---門極觸發電壓
VGD---門極不觸發電壓
VGFM---門極正向峰值電壓
VGRM---門極反向峰值電壓
VF（AV）---正向平均電壓
Vo---交流輸入電壓
VOM---輸出平均電壓
Vop---工作電壓
Vn---中心電壓
Vp---峰點電壓
VR---反向工作電壓（反向直流電壓）
VRM---反向峰值電壓（測試電壓）
V（BR）---擊穿電壓
Vth---閥電壓（門限電壓）
VRRM---反向重複峰值電壓（反向浪湧電壓）
VRWM---反向工作峰值電壓
V v---谷点电压
Vz---穩定電壓
△Vz---穩壓範圍電壓增量
Vs---通向電壓（信號電壓）或穩流管穩定電流電壓
av---電壓溫度系數
Vk---膝點電壓（穩流二極管）
VL ---电压
二、雙極型晶體管參數符號及其意義
Cc---集電極電容
Ccb---集電極與基極間電容
Cce---發射極接地輸出電容
Ci---輸入電容
Cib---共基極輸入電容
Cie---共發射極輸入電容
Cies---共發射極短路輸入電容
Cieo---共發射極開路輸入電容
Cn---中和電容（外電路參數）
Co---輸出電容
Cob---共基極輸出電容。在基極電路中，集電極與基極間輸出電容
Coe---共發射極輸出電容
Coeo---共發射極開路輸出電容
Cre---共發射極反饋電容
Cic---集電結勢壘電容
CL---負載電容（外電路參數）
Cp---並聯電容（外電路參數）
BVcbo---發射極開路，集電極與基極間擊穿電壓
BVceo---基極開路，CE結擊穿電壓
BVebo--- 集电极开路EB结击穿电压
BVces---基極與發射極短路CE結擊穿電壓
BV cer---基极与发射极串接一电阻，CE结击穿电压
D---占空比
fT---特征頻率
fmax---振蕩頻率。當三極管功率增益等于1時的工作頻率
hFE---共發射極靜態電流放大系數
hIE---共發射極靜態輸入阻抗
hOE---共發射極靜態輸出電導
h RE---共发射极静态电压反馈系数