了解MOS管的導通特性跟MOS開關管損失
一、MOS管導通特性導通是作爲開關，相當于開關閉合。NMOS的特性，Vgs大于一定的值就會導通，適合用于源極接地時的情況（低端驅動），只要柵極電壓達到4V或10V就可以了。PMOS的特性，Vgs小于一定的值就會導通，使用與源極接VCC時的情況（高端驅動）。但是，雖然PMOS可以很方便地用作高端驅動，但由于導通電阻大，價格貴，替換種類少等原因，在高端驅動中，通常還是使用NMOS。下圖是瑞薩2SK3418的Vgs電壓和Vds電壓的關系圖。可以看出小電流時，Vgs達到4V，DS間壓降已經很�。梢哉J爲導通。
二、MOS開關管損失不管是NMOS還是PMOS，導通後都有導通電阻存在，因而在DS間流過電流的同時，兩端還會有電壓（如2SK3418特性圖所示），這樣電流就會在這個電阻上消耗能量，這部分消耗的能量叫做導通損耗。選擇導通電阻小的MOS管會減小導通損耗。現在的小功率MOS管導通電阻一般在幾十毫歐左右，幾毫歐的也有。MOS在导通和截止的时候，一定不是在瞬间完成的。MOS两端的电压有一个下降的过程，流过的电流有一个上升的过程，在这段时间内，MOS管的損失是电压和电流的乘积，叫做开关損失。通�？負p失比导通損失大得多，而且开关频率越快，損失也越大。下圖是MOS管导通时的波形。可以看出，导通瞬间电压和电流的乘积很大，造成的損失也就很大。降低开关时间，可以减小每次导通时的損失；降低开关频率，可以减小单位时间内的开关次数。这两种办法都可以减小开关損失。?
